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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	材料	终端数量	晶体管元件材料														Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																							JESD-609代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	晶体管应用
JANSF2N7586T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			无		无				活跃
2N7224UJANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	81@10V	±20	34	125(Max)@10V	125(Max)	表面贴装	3.58(Max)	16(Max)	11.55(Max)	3	SMD	SMD-1					3700@25V	150000	130(Max)	190(Max)	170(Max)	35(Max)	-55	150	Military	不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100		活跃								3			Single									N
2N7422UJANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	85@12V	190(Max)	150000	4300@25V	200(Max)@12V	22	±20	100	1	Enhancement					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	SMD-1	SMD	3	16(Max)	11.55(Max)	3.07(Max)	表面贴装	Military	150	-55	40(Max)	190(Max)	170(Max)		活跃								3			Single									P
IRHG57110SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	290@12V	1400	15(Max)	16(Max)	30(Max)	21(Max)	-55	150	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB				不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	4	100	±20	4	1.6	100	10	17(Max)@12V	370@25V		活跃								14			Quad									N
2N7336JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1730@10V@P Channel\|800@10V@N Channel	30(Max)@P Channel\|20(Max)@N Channel	-55	150	Military	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	4	100	±20	0.75@P Channel\|1@N Channel	15(Max)@10V	15(Max)	200@25V@P Channel\|180@25V@N Channel	1400	40(Max)	60(Max)@P Channel\|25(Max)@N Channel	40(Max)		活跃								14			Quad									N\|P
JANSR2N7475T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	15.5@12V	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	130	±20	45	160(Max)@12V	5510@25V	208000	50(Max)		活跃								3			Single									N
IRHNJ9A7034SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	18@12V	3	SMD-0.5				供应商未确认	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	-55 to 150	40	45(Max)@12V	1740@25V	75000	30(Max)	40(Max)	45(Max)	20(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)		活跃								3			Single									N
2N7380JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	200@12V	150	Military	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	14.4	50(Max)@12V	960@25V	75000	60(Max)	75(Max)	70(Max)	35(Max)	-55		Unconfirmed								3			Single									N
DATA-2N7236JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1400@25V	125000	65(Max)	85(Max)	85(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.21.00.75	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	18	220@10V	60(Max)@10V		60(Max)		活跃								3			Single									P
2N7425JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35		100	25	通孔	TO-254AA	TO-254-AA	Tab	3	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	通孔	Military	150	-55	35(Max)	190(Max)	170(Max)	190(Max)	250000	6000@25V	290(Max)@12V	75@12V					功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	EAR99	不合规	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	5		活跃								3			Single									P
2N7236JANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	220@10V	1400@25V	60(Max)	60(Max)@10V	18	±20	100	1	Enhancement	功率MOSFET	无	无	8541.21.00.75	EAR99	不合规	通孔					TO-254AA	TO-254-AA	Tab	3	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	通孔	Military	150	-55	35(Max)	85(Max)	85(Max)	65(Max)	125000		活跃								3			Single									P
2N7520U3JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	85@12V	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead					供应商未确认	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	21	45(Max)@12V	1540@25V	75000	50(Max)	65(Max)	75(Max)	25(Max)	-55		活跃								3			Single									P
DATA-JANSG2N7261	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	185@12V	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔					不合规	3A001.a.1.a	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	8	50(Max)@12V	1100@25V	25000	40(Max)	32(Max)	40(Max)	25(Max)		活跃								3			Single									N				9.22(Max)
DTAPK2N7225JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		25	105@10V	115(Max)@10V	115(Max)	150000	130(Max)	190(Max)	170(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	4	27.4	100		活跃								3			Single									N
2N7469U2JANSH	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12@12V	150	Military	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	75	160(Max)@12V	6440@25V	250000	50(Max)	125(Max)	75(Max)	35(Max)	-55		活跃								3			Single									N
DATA-JANSR2N7626UB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	27(Max)	22(Max)	-55	150	Military	表面贴装	1.42(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)	4	SMD	UB	No Lead					供应商未确认	EAR99	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	CMOS	Enhancement	1	60	±10	0.53	3.6(Max)@4.5V	167@25V	570	27(Max)	22(Max)		活跃								4			Single									P
IRHLUC730Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	表面贴装	2.03(Max)	6.22(Max)	4.32(Max)	6	LCC	LCC					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	60	±10	0.89	3.6(Max)@4.5V	145@25V	1000	12(Max)	15(Max)	30(Max)	8(Max)	-55	150		活跃								6			Dual									N
IRHLNA797064	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	60	±10	56	190(Max)@10V	190(Max)	[email protected]	10520@25V	250000	70(Max)	265(Max)	210(Max)	38(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHLNA797064	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.35	56 A		不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	e0	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	其他晶体管	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3	R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	P-CHANNEL	56 A	0.015 Ω	224 A	60 V	P	1060 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
2N6847UJANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1725@10V	50(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.92(Max)	7.49(Max)	9.14(Max)	18	LLCC	LLCC	No Lead	不合规	EAR99	8541.29.00.95					无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	2.1	15(Max)@10V	15(Max)	330@25V	14000	50(Max)	70(Max)	40(Max)		活跃								18			单六进制漏八进制源双门									P
IRHNA597064SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13@12V	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	56	240(Max)@12V	7844@25V	250000	80(Max)	175(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150		活跃								3			Single									P
2N7470T1JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7.6@12V	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	45	150(Max)@12V	5640@25V	208000	50(Max)	125(Max)	60(Max)		活跃								3			Single									N
DTAPK2N7236JANT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	220@10V	85(Max)	85(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	18	60(Max)@10V	60(Max)	1400@25V	125000	65(Max)		活跃								3			Single									P
IRHSLNA57064SCSD	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	无	无	60	75	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2						供应商未确认		Preliminary								3												N
IRHLUB7970Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	-55	150	表面贴装	1.42(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)	4	SMD	UB					不合规	出口接触方式	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	R7	Enhancement	1	60	±10	0.53	3.6(Max)@4.5V	167@25V	570	27(Max)	22(Max)	27(Max)	22(Max)		活跃								4			Single									P
IRHNA593064	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16@12V	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	56	200(Max)@12V	7022@25V	250000	100(Max)	100(Max)	100(Max)	60(Max)	-55	150		活跃								3			Single									P